Purity:>99.995%
产品介绍 Bi2Se3是块体晶体带隙约0.3 eV的拓扑绝缘体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起,可以剥离成薄的二维层。Bi2Se3属于15族过渡后金属三卤族。 Bi2Se3晶体具有典型的横向尺寸为~0.6-0.8 cm,具有金属外观。 技术参数 纯度: 99.995% 尺寸:~ 8mm 颜色: 黑灰色 产品特点 Electrical properties:Topological insulator Crystal structure:Rhombohedral Unit cell parameters:a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120° Type:Synthetic 应用领域 Bi₂Se₃(硒化铋)是一种三维拓扑绝缘体,具有多种潜在应用,包括但不限于以下领域: 拓扑绝缘体、量子霍尔效应相关研究:其表面存在受拓扑保护的、无能隙的金属态导电通道,可用于研究拓扑绝缘体的特性和量子霍尔效应等特殊的电学现象; 钠离子电池:在钠离子电池中,基于拓扑绝缘体 Bi₂Se₃的异质结硒化物可以展现出杰出的储钠快充能力。例如超薄的 Bi₂Se₃纳米片具有丰富的电荷快速转移表面,可作为穿入材料内部的电子平台,大大降低电荷传输阻力,提高整体导电性;两种硒化物之间丰富的界面能促进 Na⁺的迁移,并提供额外的活性位点; 热电材料:Bi₂Se₃具有一定的热电性能,可将热能转化为电能,在热电发电机中具有应用潜力; 电子学和器件:由于其特殊的电子性质,可被用于新型电子器件的开发,如拓扑绝缘体晶体管和拓扑绝缘体自旋电子学器件等,这些器件在量子计算和量子信息处理中有潜在应用; 光电器件:在薄层形式下可以表现出二维电学特性,其独特的晶体和电子结构具有宽带光吸收、厚度依赖的表面带隙和偏振敏感光响应等特性,适用于光电子学领域,如可见-红外探测、太赫兹探测等; 磁电性质相关应用:表现出磁电性质,即在磁场中会产生电压,或施加电压时可改变其磁性,这使其在磁电传感器和记忆设备的开发方面具有潜在应用; 光热/光动力联合治疗:如制备成 Bi₂Se3@AIPH 纳米粒子,在单一近红外光照射下,能够实现光热治疗和不依赖于氧的光动力治疗以及免疫治疗,可用于治疗乏氧肿瘤; 催化剂:将 Bi₂Se₃负载于 TiO₂上可以得到纳米复合材料,既提高 TiO₂载流子的有效分离能力,又增强 TiO₂对可见光吸收率,对聚丙烯酸丁酯和丁氧基丙酸丁酯展现出优异的降解活性和稳定性。 其他信息 订货信息
|
相关产品
|