CVD 石墨烯专用铜箔是一种在石墨烯制备领域具有重要应用的特殊材料。在生长石墨烯前，将铜箔在衬底温度1000℃下退火30分钟，使铜晶粒长大，减少晶界等石墨烯易于形核的区域，降低生长石墨烯过程中的形核密度。

技术参数

形态：膜

规格: 20x30cm

厚度: ～25μm

纯度: > 99.9wt%

产品特点

纯度高，能有效减少杂质对石墨烯生长过程的干扰，从而保证石墨烯的结晶质量和电学性能。

表面平整度和光洁度**。光滑的表面为石墨烯的均匀生长提供了理想的基底，有助于形成连续、大面积且性能一致的石墨烯薄膜。

应用

用于CVD法生长石墨烯。

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