3月20日，苏州维特莱恩科技集团有限公司联合德国WTI集团和苏州优晶光电科技有限公司，在上海东郊宾馆举办“首台套大尺寸电阻法碳化硅设备创新发布会”，正式发布该公司大尺寸电阻法碳化硅单晶生长设备及工艺。俄罗斯圣彼得堡国立电子科技大学、俄罗斯科学院EZAN实验室、新西伯利亚国立大学、俄罗斯Skolkovo创新中心、乌克兰Vibrostorm+和亚美尼亚HT Crystals等单位代表出席大会。一同出席的还有来自全国各地的行业专家、政府领导、投资机构代表和媒体记者，共100余人。

大尺寸电阻法碳化硅设备的发布昭示着我国在大尺寸、高品质碳化硅晶体生长装备及配套生长技术上取得了突破性进展，技术达到国际领先水平，填补了国内该领域的空白。这将打破西方发达国家对碳化硅单晶生长装备及其衬底片的长期垄断，并大幅降低国内碳化硅装备制造及碳化硅衬底片生产的成本，促进第三代半导体元器件在军工、通信、高铁、新能源汽车等领域更为广泛的应用。

苏州维特莱恩科技集团有限公司董事长(德国WTI集团全球总裁)约瑟夫卫尔德先生表示，维特莱恩一直专注于电阻法大尺寸碳化硅长晶炉及工艺技术的研究与开发，通过与俄罗斯Tairov技术团队的紧密合作，目前取得了具有显著创新性和先进性的阶段性成果，这一成果是中、俄、德三国国际合作的典范，维特莱恩愿意为中国乃至世界的半导体产业提供最优的制造装备和衬底产品。

苏州维特莱恩科技集团有限公司总裁(苏州优晶光电科技有限公司董事长)丽莎刘女士介绍说，维特莱恩的电阻法碳化硅长晶炉工艺简单、自动化程度高、长晶时间短、设备性能稳定，符合未来大尺寸碳化硅单晶生长技术的发展趋势；生长出的晶体位错密度和微管密度低、晶型单一、有效厚度大、有效产片率高，填补了国内6英寸以上大尺寸碳化硅晶体市场空白。未来我们将更加紧密地与俄罗斯、乌克兰、亚美尼亚等国相关领域的科研院所合作，完善生长装备与工艺技术，助力宽禁带半导体器件和下游产业的快速发展。

发布会现场，远在俄罗斯的Tairov老先生通过现场连线表达了对丽莎刘及其团队感谢，作为俄罗斯联邦政府奖获得者，为祖国服务荣誉勋章获得者，他对丽莎刘及其团队的付出给予了充分的认可，使得他发明的电阻法大尺寸碳化硅设备得以在中国落地，并预祝发布会取得圆满成功。

现场6位领导共同宣布国际联合实验室正式启动，并举行现场签约仪式，到场的嘉宾与媒体朋友们共同见证了这一重要时刻，将发布会的气氛推向了高潮。

中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会理事长、天津理工大学教授胡章贵博士认为：“俄罗斯的Tairov是国际公认的碳化硅单晶工业化生长技术的鼻祖。我国从上世纪末开始起步，目前已突破2英寸和4英寸的感应法生长技术，仍面临着晶体良率不高和有效利用率较低等问题，导致国内碳化硅衬底片的价格一直无法与国外同类产品竞争，更满足不了国内的市场需求。电阻法碳化硅晶体生长方法具有温场可调、生长过程自动化程度高、晶体有效利用率大等特点，特别适合6英寸以上大尺寸碳化硅晶体的生长，是一种非常有发展潜力的高品质碳化硅生长技术。建议在产业化过程中充分借鉴国内已有的感应法生长经验，加强与国内从事相关领域的科研院所的技术合作，尽快形成碳化硅衬底片的产能优势。”

蓝宝石长晶领域专家，哈尔滨工业大学张明福教授指出：“碳化硅和蓝宝石都是半导体器件的重要衬底材料，蓝宝石已在LED、光电窗口、手机屏中得到很好地应用；碳化硅具有禁带宽、击穿电压高，器件耐高温等特点，是高亮度LED、大功率半导体器件衬底的首选材料；今天很高兴见证了维特莱恩公司大尺寸电阻法碳化硅长晶设备的发布，该公司技术团队与碳化硅生长技术的鼻祖、俄罗斯Tairov技术团队紧密合作，短时间内使国内的碳化硅生长设备与技术达到了国际领先水平。”张教授建议维特莱恩尽快与资本结合，使该技术产业化，推动我国宽禁带半导体技术进步和相关产业的发展。