德国Fraunhofer太阳能系统研究所(ISE)确认多结太阳能电池转换效率达到30.2%。

   Fraunhofer ISE与澳大利亚公司EV Group(EVG)合作，采用直接晶圆接合(direct wafer bounding)工艺，突破硅太阳能电池的理论极限，将几微米的三五族半导体材料转移为硅材。

   Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接晶圆接合工艺将几微米的三五族半导体材料转换为硅材。

   从外部来看，太阳能电池看起来是一样的，其复杂性限于其内部运作。这样就可以像普通的硅太阳能电池一样，集成到标准的光伏组件中。

   Fraunhofer ISE部门主管Frank Dimroth表示：“我们正在研究超越硅太阳能电池理论极限的方法。凭借在硅和III-V技术方面的长期经验，我们才能够实现这一里程碑。”

   Fraunhofer ISE和EVG在4平方厘米面积的硅多结太阳能电池上使转换效率提升至30.2%，远远超过了纯硅太阳能电池当前的效率记录26.3%，并且也超过了硅太阳能电池的理论效率极限29.4%。