CVD 法制备石墨烯的过程主要包含三个重要的影响因素：衬底、前驱体和生长条件。其中，衬底是生长石墨烯的重要条件，目前发现的可以用作石墨烯制备的衬底金属有8-10个过渡金属（如 Fe，Ru，Co，Rh，Ir，Ni，Pd，Pt，Cu，Au），和合金（如 Co-Ni，Au-Ni，Ni-Mo，不锈钢）。不同的基底材料通过 CVD 制备石墨烯的机理各不相同，主要分为两种制备机理：渗碳析碳机制，即高温时裂解后的碳渗入基底中，快速降温时在表面形成石墨烯；表面催化机制，即高温时裂解后的碳接触特定金属时（如铜），在表面形成石墨烯，并保护样品抑制薄膜继续沉积，因此这种机制更容易形成单层石墨烯。

在实际应用中，CVD 石墨烯膜的合成方法可能会因具体的实验需求和条件而有所不同。研究人员通常会根据目标性能和应用场景，对合成过程进行优化和调整。同时，新的合成方法和技术也在不断发展和探索中，以提高石墨烯膜的质量和性能。

通常，先在金属基底上生长石墨烯，再旋涂PMMA,转移到氧化硅、石英、玻璃、PET或者铜网等基底上。

技术参数

面积：2cmx2cm

层数：单层、双层、3-5层、6-8层

产品特点

高品质：具有较高的纯度和结晶度；

良好的电学性能：载流子迁移率高，电阻率小；

高透明度：对可见光具有良好的透过性；

机械强度高：具有较好的柔韧性和耐受力；

化学稳定性好：在常温下表现出良好的稳定性。

应用

电子器件：如场效应晶体管、电容器等；

光学器件：透明导电薄膜、触摸屏等；

传感器：化学传感器、生物传感器等；

能源领域：如太阳能电池、超级电容器等；

复合材料：与其他材料复合，提升性能。

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