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2D CVD蓝宝石基底单层二硒化铼ReSe2连续薄膜,尺寸1cm x 1cm
产品介绍 CVD法(化学气相沉积法)在制备二硒化物材料方面发挥着重要作用。在制备二硒化物材料时,CVD法利用气态前驱体在加热的基片表面发生化学反应,生成所需的二硒化物薄膜。 二维ReSe2因其优异的光电特性、可调节带隙和优异的空气稳定性等性能而备受关注。CVD法作为制备这类材料的有效手段之一,在光电子器件、传感器、能量存储等领域具有广泛的应用前景。 技术参数 尺寸:1cm x 1cm 基底类型:(0001)c-cut Sapphire 晶体结构:1T 制备方法:APCVD 产品特点 大面积制备:CVD法可以制备出大面积且均匀的ReSe2薄膜,满足大规模应用的需求。 高质量:通过优化反应条件,可以制备出高质量、高纯度的ReSe2薄膜,具有优异的物理和化学性能。 可控性:CVD法可以精确控制薄膜的厚度、形貌和结晶质量等参数,为制备具有特定功能的ReSe2材料提供了可能。 产品应用 晶体管:二维金属ReSe2因其独特的电子结构,可用于制备高性能的晶体管。CVD法能够制备出大面积、高质量的薄膜,满足晶体管制造的需求。 传感器:ReSe2材料在传感器领域也有广泛应用,如湿度传感器、气体传感器等。CVD法制备的ReSe2薄膜具有优异的敏感性和稳定性,能够提高传感器的性能。 光电探测器:二维金属ReSe2因其优异的光吸收效率和可调节带隙,被广泛应用于光电探测器中。 柔性电子:随着柔性电子技术的发展,二维金属ReSe2因其良好的柔韧性和机械性能,可用于制备柔性电子器件的电极或功能层。 订货信息
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