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单层氮化硼薄膜(HBN),SiO2/Si基底,晶粒尺寸>4μm
单层氮化硼薄膜(HBN),SiO2/Si基底,晶粒尺寸>4μm图片
产品介绍

氮化硼薄膜是一种由交替的硼原子和氮原子组成的二维材料,具有类石墨烯的蜂巢晶格结构。它继承了氮化硼块体材料的优异性能,包括力学、电学、热学和光学性能,并且由于其特殊的二维结构,拥有更多的特性和更广泛的应用前景。CVD法是通过将含有硼和氮元素的气体或蒸汽引入反应室,在衬底表面发生化学反应,从而沉积出氮化硼薄膜。这种方法可以在较低的温度下实现高密度、高质量的薄膜沉积,并且可以通过调整反应条件来控制薄膜的厚度、结晶度和形貌。

技术参数

尺寸描述:参数描述中尺寸为连续氮化硼薄膜尺寸,基底尺寸偏大

基底:SiO2/Si

晶粒尺寸:>4 um

氧化层:300 nm

硅:500 um

产品特点

优异的绝缘性能:氮化硼本身就是一种良好的电绝缘体,CVD制备的氮化硼膜继承了这一特性,其电阻率非常高。

良好的热稳定性和高导热性:CVD氮化硼膜在高温下仍能保持结构和性能的稳定。具有较高的热导率,大约在几十到几百W/(m·K)之间(具体数值会因膜的质量和结构等因素有所不同)。这种高导热性使其能够有效地将热量从发热源传导出去,在散热应用中具有重要价值。

化学稳定性:CVD氮化硼膜对大多数化学物质具有惰性,不易与酸、碱、有机溶剂等发生化学反应。

表面平整度高:通过CVD方法制备的氮化硼膜通常具有较为光滑和平整的表面。

成分纯净度较高:通过CVD方法可以制备出相对纯净的氮化硼膜,杂质含量较低。这有助于充分发挥氮化硼材料本身的优良性能,减少因杂质引起的性能缺陷。

应用

电子器件:氮化硼薄膜具有良好的绝缘性能和高温稳定性,可用于电子器件的隔离层和热管理应用。

光学器件:氮化硼薄膜在可见光和紫外光区域具有良好的透过性,可用于光学器件和光学涂层。

热界面材料:由于其优异的热导性能,氮化硼薄膜可用于制备热界面材料和散热器。

订货信息

产品编号包装纯度规格
VBG-XF2391片1英寸x1英寸,SiO2/Si基底
VBG-XF2391片1英寸x2英寸,SiO2/Si基底
VBG-XF2391片2英寸x2英寸,SiO2/Si基底
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