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带预热系统的PECVD
带预热系统的PECVD图片
品牌:Micro-X
产地:上海


产品介绍
PECVD系统
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor  Deposition)等离子体增强化学气相沉积法。
本设备是借助射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。
本设备主要由管式加热炉体,真空系统,质子流量供气系统,射频等离子源,石英反应腔室等部件组成。
主要特点:
1、通过射频电源把石英真空室内的气体变为离子态。
2、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积所需的温度更低。
3、可以通过射频电源的频率来控制所沉积薄膜的应力大小。
 4、PECVD比普通CVD进行化学气相沉积速率高、均匀性好、一致性和稳定性高。
5、广泛应用于:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx,  SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
系统选型
项 目推荐选型
管式加热炉体
石英反应腔室根据需求选择不同直径的石英管作为反应室。有Φ40,Φ60,Φ80,Φ100,Φ120,Φ150等规格可选。
真空系统根据需求选择不同真空效果的真空系统。有DZK10-1(极限真空0.1Pa),GZK10-3(极限真空0.001Pa),以及进口高真空机组(极限真空0.0001Pa)供选择。
质子流量供气系统根据需求选择多路质子流量供气系统。有两路GQ-2Z,三路GQ-2Z,四路GQ-2Z,五路GQ-2Z或更多路供选择。
射频等离子源根据需求选择强度不同的射频电源。有DLZ300(300W),DLZ500(500W)或更大功率的射频电源供选择。
常见PECVD系统组合1.  1200度60滑轨式微型管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,300W射频电源
MXG1200-60S-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ300
2. 1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源
MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500
3.  1200度60双温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源
MXG1200-60II-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500
4.  1200度60三温区滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源
MXG1200-60III-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500
5.  1200度60微型预热炉,1200度60滑轨式管式炉,低真空系统,四路质子流量供气系统,500W射频电源
MXG1200-60S,MXG1200-60-SL,DZK10-1,GQ-4Z,DLZ500
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地址: 江苏省昆山市开发区六时泾路28号
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