SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备,可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性,本机可采用中频感应加热电源,以及石墨电阻加热两种加热方式;采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温,使结晶体按照一定的直径进行控制。
产品型号 | SKJ-M50-16金属晶体生长炉 |
安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水) 2、电:AC380V 50Hz(63A空气开关),必须有良好接地 3、气:设备腔室内需充注氩气(纯度99.99%以上),需自备氩气气瓶(自带Ø6mm双卡套接头) 4、工作台:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上 5、通风装置:需要 |
主要特点 | 属于小型晶体生长炉,适合于大专院校、研究所使用。 |
技术参数 | 1、电源:208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW 2、炉体容积:约100L 3、炉管:石英管或刚玉管 4、坩埚:高纯石墨坩埚 5、加热元件:1800级硅钼棒 6、温控系统:50段控温程序 7、控温精度:±1℃ 8、工作温度:连续工作1600℃,短时间工作1700℃ 9、控温方式:自动程序控温 10、生长方法:区熔法(样品固定不动,炉体向上移动) 11、移动速度:1mm/h-10mm/h可调 12、快速移动:手动 13、结晶转速:1rpm-50rpm 14、真空系统:机械泵和扩散泵 15、极限真空度:10-5torr |
标准配件 | 1、电源控制系统一套 2、机械控制系统一套 |
可选配件 | Kathnal Super-1800级硅钼棒 |