说明
金薄膜蚀刻剂在光刻法制作微电子线路中用以选择蚀刻金。和光刻技术相结合这些蚀刻剂可在氧化铝或其他基板上的薄膜上制作精密电极和电阻图案。其纯度高钠含量低，0.2微米过滤，可用于半导体和微型电子产品。
金蚀刻剂TFA，不含氰化物，用于制作标准产品
金蚀刻剂GE-8148，不含氰化物，不浸蚀镍膜
TFA
GE-8148
操作温度
室温
通风
建议用通风橱
搅拌
搅拌可加快蚀刻速率
罐
玻璃
蚀刻速率，25℃
28 Å /秒
50 Å /秒
组成
液体中含KI-I2络合物
液体中含KI-I2络合磷酸盐化合物
PH（20℃）
8.15±0.2
密度（20℃）
1.265±0.01
蚀刻能力（g/加仑）
100
光刻胶相匹配性
阴，阳光刻胶
冲洗
蒸溜水，去离子水
废液处理
按国家有关规定处理
杂质最大含量
(ppm)
钠（Na）
40
氯和溴（CL）
铅(Pb)
5
铁(Fe)
3
硫(作为硫酸盐)
50
磷(作为磷酸盐)
10
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