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氧化硅基底单晶单层石墨烯,1.5cm×1.5cm,SiO2厚度300 nm
氧化硅基底单晶单层石墨烯,1.5cm×1.5cm,SiO2厚度300 nm图片
试剂产地:国产石墨烯粉末


产品介绍

单晶石墨烯是指具有单晶体结构特征的石墨烯材料。石墨烯本身是由单层碳原子构成的二维材料,而单晶体的石墨烯则强调其原子排列的高度有序性,无缺陷,这种结构赋予了它更加优异的物理性质。单晶石墨烯的制备技术多种多样,主要包括以下几种方法: 气相沉积法(CVD)、机械剥离法、外延生长法。     

本产品采用机械剥离的方法制备,机械剥离法,又称“胶带剥离法”,最早由Novoselov等人在2004年制备单层石墨烯时提出。该方法利用胶带和块体材料之间的摩擦和相对运动,使薄层从块体上脱落,用胶带的粘着力来克服分子层间弱范德华力,从而实现层与层的分离。这种方法产量较低,但能够获取高纯度的单层石墨烯。通过机械力将石墨烯从石墨中剥离出来,适用于实验室研究。

技术参数

基底:SiO2/Si

基底尺寸:1.5cmx1.5cm

SiO2厚度:300 nm

样品总面积:>10000 μm2

产品特点

高导电性:由于无晶界和缺陷,电子在单晶石墨烯中的传输更为顺畅,导电性能显著提高。 

高导热性:同样得益于其**的结构,单晶石墨烯具有优异的导热性能。 

高品质光学特性:能够实现低失真的光学传输,为光学器件的制备提供了可能。 

应用

电子学:由于其高导电性和高品质的光学特性,单晶石墨烯在电子器件的制备中具有重要价值。例如,可用于制造高速电子器件、光电探测器等。 

能源:在储能领域,单晶石墨烯可用于提高电池的能量密度和循环稳定性。此外,其优异的导热性能也有助于电池的热管理。 

信息技术:在信息技术领域,单晶石墨烯可用于制备高性能的传感器、晶体管等元器件。 

订货信息

产品编号包装纯度规格
VBG-XFG051 片基底1.5cmx1.5cm,SiO2厚度: 300nm
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